[Ecomal - 31.08.2015] Die Revolution in der Leistungselektronik - 100V- und 650V-Leistungstransistoren in Gallium-Nitrid-Technologie
GaN Systems Inc., führend in der Entwicklung von Gallium-Nitrid-Leistungsschalt-Halbleitern, hat als weltweit erster Hersteller eine Reihe von E-HEMTs (Enhancement Mode High Electron Mobility Transistor) auf Gallium Nitrid Basis in 100V und 650V herausgebracht. Basierend auf der gesetzlich geschützten Island Technology von GaN Systems stellen die Transistoren dieses Herstellers vergleichbare Bauteile auf Siliziumbasis in puncto Schaltfrequenz und Effizienz bei weitem in den Schatten. Die umfassende Produktpalette von GaN Systems wird die Entwicklung einer Energiekonversionstechnologie der nächsten Generation mit höherem Wirkungsgrad, kleineren Leiterplattenlayouts und weniger Peripheriekomponenten ermöglichen. Davon profitieren zahlreiche Einsatzgebiete, angefangen von bordeigener Batterieaufladung, Hochspannungs-DC/DC- und AC/DC-Wandlung, USV, Klimaanlagen, Haushaltsgeräten, batteriebetriebenen Hochleistungs-Elektrowerkzeugen bis hin zu E-Bikes.
GaN Systems fertigt eine Reihe von Gallium-Nitrid-Hochleistungstransistoren für Verbraucher, Unternehmen, Industrie, Solar-/Wind-/Smartgrid- sowie Umrichtungsanwendungen für den Transportsektor.
Diese Bauteile mit außerordentlich niedrigem Einschaltwiderstand und minimaler Ladungsspeicherung ermöglichen Schalteffizienzen, die weit über denjenigen aktueller Lösungen auf Siliziumbasis liegen und für Schaltnetzteile, Wechselrichter, Hybrid- und Elektrofahrzeuge, Batteriemanagement und Blindleistungskompensierung enorme Vorteile bieten.
Ecomal Europe als autorisierter Distributionspartner von GaN Systems bietet neben technischer Applikationsberatung auch die Bemusterung ab Lager an.
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